優質先進材料助力降本增效
恒普可為各類組件、載體提供專門的碳化鉭（TaC）涂層。通過恒普行業領先的涂層工藝，可以使得碳化鉭（TaC）涂層獲得高純度、高溫穩定性和高化學耐受性，可改善SiC/GAN晶體和EPI層的產品質量，并延長關鍵反應堆成分的壽命。
恒普推出全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭,主要用于氣相組元過濾，調整局部溫度梯度，引導物質流方向，控制泄露等。可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。
恒普生產的先進石墨產品，主要應用于半導體等領域。憑借我們對先進材料和專業工程領域的深入了解，使得我們能夠開發極具純度和出色孔隙率的產品，同時能夠保持優秀的絕緣特性。我們提供的高標準多孔石墨，能夠提高效率，提高產量。在一系列應用中，我們的產品主要用于晶體生長【一次傳質】新工藝。我們也愿意繼續幫助制造商致力于在其產品開發中實現更高的性能和可靠性。
用于導電單晶生長，8-40目/mesh顆粒度精確可控，純度不低于99.9995%純度：指采用GDMS全元素檢測（不含N元素），使用100%減去所測元素含量所得值，其中小于檢測限的元素按照0%的濃度進行統計
