隨著導電型SiC襯底的逐漸量產，對工藝的穩定性、可重復性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制，爐內熱場微小的調整或漂移，都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。后期，更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰，除了理論和工程的提高外，還需要更先進的熱場材料作為支撐。使用先進材料，長先進晶體。

熱場中坩堝的材料，石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當，會帶來碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應用場合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開孔來增加透氣率。透氣率大的多孔石墨，面臨加工、掉粉、蝕刻等挑戰。

恒普推出全新一代SiC晶體生長熱場材料，多孔碳化鉭。全球首發。

碳化鉭的強度和硬度都很高，做成多孔狀，更是挑戰。做成孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰。恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化鉭，孔隙率最大可以做到75%，國際領先。

氣相組元過濾，調整局部溫度梯度，引導物質流方向，控制泄露等都可以使用。可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。

部分構件可以重復使用。

多孔碳化鉭實拍圖：

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技術參數

• 孔隙率 ≤75%   國際領先
• 形狀：片狀、筒狀  國際領先
• 孔隙度均勻

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