







感應爐 SICG8-SL07D
在碳化硅8英寸時代到來之際,隨著坩堝的直徑增長,感應線圈只能加熱坩堝的表面,不同位置的徑向溫度梯度都會隨之增大,而這樣的參數變化不適合大直徑的晶體生長。為了對應行業客戶的使用慣性及Know-How的延續,恒普科技解決了雙線圈對石墨坩堝的溫度上下無法分離,做到了【準軸徑分離】,并將技術同時使用在了兩種爐型上,滿足更多客戶的使用習慣。
產品優勢


石英管雙線圈感應晶體生長爐
- 坩堝區域溫度分離
- 方便原工藝過渡
- 水平螺旋線圈,提高磁場平衡與雙線圈匹配
金屬殼雙線圈感應晶體生長爐
- 爐下放下出料,解決8英寸坩堝上取料的不便
- 出料時,坩堝與熱場自動分離,提高爐次的重復性
- 獨特的二次發熱體
- 優化內置線圈絕緣
- 橫向多點測溫
- 提高爐采用特殊定制石墨硬氈
先進技術
軸徑分離技術
注:單一爐型不一定涉及全部技術,僅供參考,詳情歡迎致電恒普

【軸徑分離】技術應用于電阻式長晶爐徹底解決軸徑方向上的溫度耦合現象。調整軸向溫度梯度,提升晶體生長速度,徑向溫度梯度也隨之發生改變,從而導致晶體生長界面的凹凸變化、應力增加,使得晶體缺陷增加。電阻式長晶爐通過不同區域的電阻發熱,達到籽晶區域和源料區域的溫度分別控制,達到軸向溫度梯度與徑向溫度梯度分離,從而穩定晶體生長面型的同時能夠大幅度提高晶體生長速度。
工具包
先進材料
恒普為客戶提供長晶材料的一站式解決方案

碳化鉭涂層

碳化硅涂層

多孔石墨

保溫氈等工具
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在碳化硅8英寸時代到來之際,隨著坩堝的直徑增長,感應線圈只能加熱坩堝的表面,不同位置的徑向溫度梯度都會隨之增大,而這樣的參數變化不適合大直徑的晶體生長。為了對應行業客戶的使用慣性及Know-How的延續,恒普科技解決了雙線圈對石墨坩堝的溫度上下無法分離,做到了【準軸徑分離】,并將技術同時使用在了兩種爐型上,滿足更多客戶的使用習慣。

- 長晶方式PVT
- 加熱平臺感應加熱
- 長晶速度0.2-0.3mm/h
- 長晶尺寸6 inch/8 inch
- 長晶高度30-40mm
- 線圈類型單/雙線圈